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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR6215
AUIRFR6215 Image
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AUIRFR6215 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR6215
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR6215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR6215.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR6215 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR6215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR6215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFR6215  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR6215.

Produkteigenschaften AUIRFR6215 AUIRFR8405TRL AUIRFR8401 AUIRFR5410
Artikelnummer AUIRFR6215 AUIRFR8405TRL AUIRFR8401 AUIRFR5410
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Grundproduktnummer AUIRFR6215 AUIRFR8405 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 6.6A, 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 50µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 5171 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 13A (Tc)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 163W (Tc) 79W (Tc) 66W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 40 V 40 V 100 V
FET-Merkmal - - - -

AUIRFR6215 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR6215 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR6215 - Infineon Technologies herunter.

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