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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFS4010TRL
AUIRFS4010TRL Image
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AUIRFS4010TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS4010TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS4010TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRFS4010TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8969

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFS4010TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS4010TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS4010TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS4010TRL.

Produkteigenschaften AUIRFS4010TRL AUIRFS3607 AUIRFS4127TRL AUIRFS4115
Artikelnummer AUIRFS4010TRL AUIRFS3607 AUIRFS4127TRL AUIRFS4115
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9575 pF @ 50 V 3070 pF @ 50 V 5380 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 106A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 140W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 80A (Tc) 72A (Tc) 99A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 200 V 150 V

AUIRFS4010TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS4010TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS4010TRL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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