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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFS4127TRL
AUIRFS4127TRL Image
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AUIRFS4127TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS4127TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS4127TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRFS4127TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8648

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFS4127TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS4127TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS4127TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFS4127  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS4127TRL.

Produkteigenschaften AUIRFS4127TRL AUIRFS4115-7P AUIRFS4010TRL AUIRFS4127
Artikelnummer AUIRFS4127TRL AUIRFS4115-7P AUIRFS4010TRL AUIRFS4127
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) 105A (Tc) 180A (Tc) 72A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 100 V 200 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 4.7mOhm @ 106A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V 5320 pF @ 50 V 9575 pF @ 50 V 5380 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Grundproduktnummer AUIRFS4127 - - AUIRFS4127
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3 PG-TO263-3

AUIRFS4127TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS4127TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS4127TRL - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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