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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFS4127
AUIRFS4127 Image
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AUIRFS4127 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS4127
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS4127
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRFS4127.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5030

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFS4127 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS4127 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS4127

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFS4127  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS4127.

Produkteigenschaften AUIRFS4127 AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4127TRL
Artikelnummer AUIRFS4127 AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4127TRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 250W (Tc) 250W (Tc) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 100 V 200 V
Grundproduktnummer AUIRFS4127 - AUIRFS4310 AUIRFS4127
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 D2PAK D2PAK PG-TO263-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 6860 pF @ 50 V 5380 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRFS4127 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS4127 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS4127 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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