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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberAUIRS2113STR
AUIRS2113STR Image
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AUIRS2113STR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRS2113STR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRS2113STR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Datenblatt
AUIRS211(0,3)S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9620

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Anzahl

Spezifikation

AUIRS2113STR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRS2113STR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRS2113STR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.5A, 2.5A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer AUIRS2113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRS2113STR.

Produkteigenschaften AUIRS2113STR AUIRS20302STR AUIRS2110STR AUIRS2123S
Artikelnummer AUIRS2113STR AUIRS20302STR AUIRS2110STR AUIRS2123S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 200 V 500 V 600 V
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 24V ~ 150V 3V ~ 20V 10V ~ 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 - Automotive, AEC-Q100
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 15ns 100ns, 35ns - 80ns, 80ns
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET - IGBT, N-Channel MOSFET
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 28-SOIC 16-SOIC 8-SOIC
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Ladestrom Independent 3-Phase Independent Single
Anzahl der Treiber 2 6 2 1
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.7V, 2.5V - -
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.5A, 2.5A 200mA, 350mA - 500mA, 500mA
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge High-Side
Grundproduktnummer AUIRS2113 AUIRS20302 AUIRS2110 AUIRS2123

AUIRS2113STR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRS2113STR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRS2113STR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
AUIRS211(0,3)S.pdf
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AUIRS2113STR EOL 29/Nov/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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