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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberAUIRS2117STR
AUIRS2117STR Image
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AUIRS2117STR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRS2117STR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRS2117STR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRS211(7,8)S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34980

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Anzahl

Spezifikation

AUIRS2117STR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRS2117STR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRS2117STR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 25ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer AUIRS2117  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRS2117STR.

Produkteigenschaften AUIRS2117STR AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2118STR
Artikelnummer AUIRS2117STR AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2118STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 75ns, 25ns 80ns, 80ns 80ns, 80ns 75ns, 25ns
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 500mA, 500mA 500mA, 500mA 290mA, 600mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer AUIRS2117 AUIRS2123 AUIRS2124 AUIRS2118
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V - - 6V, 9.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Ladestrom Single Single Single Single
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side High-Side
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

AUIRS2117STR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRS2117STR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRS2117STR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
AUIRS211(7,8)S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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