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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberAUIRS2123S
AUIRS2123S Image
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AUIRS2123S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRS2123S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRS2123S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRS2123,24S.pdf
vorrätig: 13730

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Anzahl

Spezifikation

AUIRS2123S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRS2123S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRS2123S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 80ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 500mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer AUIRS2123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRS2123S.

Produkteigenschaften AUIRS2123S AUIRS2118STR AUIRS2113STR AUIRS2113S
Artikelnummer AUIRS2123S AUIRS2118STR AUIRS2113STR AUIRS2113S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Anzahl der Treiber 1 1 2 2
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 80ns 75ns, 25ns 25ns, 15ns 25ns, 15ns
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 16-SOIC 16-SOIC
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side Half-Bridge Half-Bridge
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Ladestrom Single Single Independent Independent
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3V ~ 20V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 500mA, 500mA 290mA, 600mA 2.5A, 2.5A 2.5A, 2.5A
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Grundproduktnummer AUIRS2123 AUIRS2118 AUIRS2113 AUIRS2113
Logikspannung - VIL, VIH - 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AUIRS2123S Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRS2123S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRS2123S - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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