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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSA223SP
Infineon Technologies
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BSA223SP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSA223SP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSA223SP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 390MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
BSA223SP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5340

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Anzahl

Spezifikation

BSA223SP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSA223SP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSA223SP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SC-75  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 250mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 390mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSA223SP.

Produkteigenschaften BSA223SP STF33N60M2 HAT3008RJ-EL IRF3707STRR
Artikelnummer BSA223SP STF33N60M2 HAT3008RJ-EL IRF3707STRR
Hersteller Infineon Technologies STMicroelectronics Renesas Electronics America Inc Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 600 V - 30 V
Typ FET P-Channel N-Channel - N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62 nC @ 4.5 V 45.5 nC @ 10 V - 19 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-220-3 Full Pack - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 125mOhm @ 13A, 10V - 12.5mOhm @ 15A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 390mA (Ta) 26A (Tc) - 62A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-SC-75 TO-220FP - D2PAK
Verlustleistung (max) 250mW (Ta) 35W (Tc) - 87W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±25V - ±20V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole - Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V - 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56 pF @ 15 V 1781 pF @ 100 V - 1990 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA 4V @ 250µA - 3V @ 250µA
Serie OptiMOS™ MDmesh™ II Plus * HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)

BSA223SP Datenblatt PDF

Laden Sie BSA223SP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSA223SP - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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