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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT24M120B2
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT24M120B2 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT24M120B2
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT24M120B2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
APT24M120B2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2128

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Spezifikation

APT24M120B2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT24M120B2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT24M120B2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 1040W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer APT24M120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT24M120B2.

Produkteigenschaften APT24M120B2 APT21M100J APT22F120B2 APT22F80B
Artikelnummer APT24M120B2 APT21M100J APT22F120B2 APT22F80B
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] ISOTOP® T-MAX™ [B2] TO-247 [B]
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1000 V 1200 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 12A, 10V 380mOhm @ 16A, 10V 700mOhm @ 12A, 10V 500mOhm @ 12A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 1040W (Tc) 462W (Tc) 1040W (Tc) 625W (Tc)
Grundproduktnummer APT24M120 APT21M100 APT22F120 APT22F80
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8370 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 8370 pF @ 25 V 4595 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 21A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc)

APT24M120B2 Datenblatt PDF

Laden Sie APT24M120B2 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT24M120B2 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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