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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX180N085
IXFX180N085 Image
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IXFX180N085 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX180N085
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX180N085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,X)180N085.pdf
vorrätig: 3600

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Anzahl

Spezifikation

IXFX180N085 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX180N085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX180N085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX180N085.

Produkteigenschaften IXFX180N085 IXFV22N50P IXFX21N100Q IXFX15N100
Artikelnummer IXFX180N085 IXFV22N50P IXFX21N100Q IXFX15N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5.5V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 2630 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, PolarHT™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 500mA, 10V 270mOhm @ 11A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 700mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXFX180 IXFV22 IXFX21 IXFX15
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 22A (Tc) 21A (Tc) 15A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V 500 V 1000 V 1000 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-220-3, Short Tab TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS220 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 350W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc)

IXFX180N085 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX180N085 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX180N085 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXF(K,X)180N085.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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