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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSO303SP
Infineon Technologies
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BSO303SP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO303SP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO303SP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO303SP.pdf
vorrätig: 106390

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Anzahl

Spezifikation

BSO303SP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO303SP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO303SP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8-1  
Serie OptiMOS® -P  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO303SP.

Produkteigenschaften BSO303SP BSO300N03S BSO4410 BSO303SPH
Artikelnummer BSO303SP BSO300N03S BSO4410 BSO303SPH
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 21 nC @ 5 V 54 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V 600 pF @ 15 V 1280 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V 30mOhm @ 7.2A, 10V 13mOhm @ 11.1A, 10V 21mOhm @ 9.1A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta) 5.7A (Ta) 11.1A (Ta) 7.2A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8-1 PG-DSO-8 8-SO PG-DSO-8-1
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS® -P OptiMOS™ OptiMOS™ SIPMOS®
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 2V @ 8µA 2V @ 42µA 2V @ 100µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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