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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSO303SPH
Infineon Technologies
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BSO303SPH - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO303SPH
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO303SPH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO303SPH.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123390

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Anzahl

Spezifikation

BSO303SPH Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO303SPH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO303SPH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO303SPH.

Produkteigenschaften BSO303SPH BSO300N03S BSO4420 BSO303SP
Artikelnummer BSO303SPH BSO300N03S BSO4420 BSO303SP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2330 pF @ 25 V 600 pF @ 15 V 2213 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8-1 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8-1
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 2V @ 8µA 2V @ 80µA 2V @ 100µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 33.7 nC @ 5 V 54 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A (Ta) 5.7A (Ta) 13A (Ta) 7.2A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9.1A, 10V 30mOhm @ 7.2A, 10V 7.8mOhm @ 13A, 10V 21mOhm @ 9.1A, 10V
Serie SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS® -P
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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