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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ180P03NS3EGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ180P03NS3EGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ180P03NS3EGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 101040

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Anzahl

Spezifikation

BSZ180P03NS3EGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ180P03NS3EGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ180P03NS3EGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.1V @ 48µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 39.5A (Tc)  
Grundproduktnummer BSZ180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1.

Produkteigenschaften BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ22DN20NS3G
Artikelnummer BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ22DN20NS3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 250 V 150 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2220 pF @ 15 V 920 pF @ 100 V 950 pF @ 75 V 430 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V 165mOhm @ 5.5A, 10V 30mOhm @ 16A, 10V 225mOhm @ 3.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 8V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer BSZ180 BSZ16DN25 BSZ300 -
VGS (th) (Max) @ Id 3.1V @ 48µA 4V @ 32µA 4.6V @ 32µA 4V @ 13µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 39.5A (Tc) 10.9A (Tc) 32A (Tc) 7A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc) 34W (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3

BSZ180P03NS3EGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSZ180P03NS3EGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSZ180P03NS3EGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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