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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSZ300N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ300N15NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ300N15NS5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ300N15NS5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSZ300N15NS5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27869

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Spezifikation

BSZ300N15NS5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ300N15NS5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ300N15NS5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 32µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 62.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer BSZ300  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ300N15NS5ATMA1.

Produkteigenschaften BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ440N10NS3GATMA1
Artikelnummer BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc) 34W (Tc) 29W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 200 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 16A, 10V 90mOhm @ 7.6A, 10V 225mOhm @ 3.5A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 75 V 920 pF @ 100 V 430 pF @ 100 V 640 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 32µA 4V @ 30µA 4V @ 13µA 2.7V @ 12µA
Grundproduktnummer BSZ300 BSZ900 - BSZ440
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 15.2A (Tc) 7A (Tc) 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-1 PG-TSDSON-8
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 11.6 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V

BSZ300N15NS5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSZ300N15NS5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSZ300N15NS5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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