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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSZ22DN20NS3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ22DN20NS3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ22DN20NS3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ22DN20NS3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSZ22DN20NS3G.pdf
vorrätig: 3790

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Spezifikation

BSZ22DN20NS3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ22DN20NS3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ22DN20NS3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 13µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-1  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 34W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ22DN20NS3G.

Produkteigenschaften BSZ22DN20NS3G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1
Artikelnummer BSZ22DN20NS3G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 34W (Tc) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc) 29W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 9.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 3.5A, 10V 165mOhm @ 5.5A, 10V 30mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 13µA 4V @ 32µA 4.6V @ 32µA 2.7V @ 12µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 8V, 10V 6V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 10.9A (Tc) 32A (Tc) 5.3A (Ta), 18A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 100 V 920 pF @ 100 V 950 pF @ 75 V 640 pF @ 50 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-1 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 150 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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