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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IAUA200N04S5N010AUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUA200N04S5N010AUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUA200N04S5N010AUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
5-PowerSFN
Datenblatt
IAUA200N04S5N010AUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19982

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Spezifikation

IAUA200N04S5N010AUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUA200N04S5N010AUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUA200N04S5N010AUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-5-1  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 5-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IAUA200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUA200N04S5N010AUMA1.

Produkteigenschaften IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
Artikelnummer IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V 670 pF @ 50 V 6370 pF @ 40 V 867 pF @ 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 24A (Tc) 165A (Tc) 28A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-5-1 PG-TDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-TDSON-8-33
Verpackung / Gehäuse 5-PowerSFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 100µA 2.2V @ 12µA 3.8V @ 108µA 2V @ 11µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 38W (Tc) 167W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 23mOhm @ 14A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IAUA200 IAUC24 IAUS165 IAUC28
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 80 V 80 V

IAUA200N04S5N010AUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IAUA200N04S5N010AUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IAUA200N04S5N010AUMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
IAUA DS Rev 7/Oct/2022.pdf IAUAyyy Mold Cavity Chg 16/Jul/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IAUA200N04S5N010 Wafer Site Add 6/May/2019.pdf

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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