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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUA250N04S6N006AUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IAUA250N04S6N006AUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUA250N04S6N006AUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUA250N04S6N006AUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
5-PowerSFN
Datenblatt
IAUA250N04S6N006AUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15620

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Spezifikation

IAUA250N04S6N006AUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUA250N04S6N006AUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUA250N04S6N006AUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 145µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-5-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.64mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 5-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11064 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450A (Tj)  
Grundproduktnummer IAUA250  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUA250N04S6N006AUMA1.

Produkteigenschaften IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Artikelnummer IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 38W (Tc) 167W (Tc) 42W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450A (Tj) 24A (Tc) 165A (Tc) 47A (Tj)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
Verpackung / Gehäuse 5-PowerSFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.64mOhm @ 100A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 10.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 169 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IAUA250 IAUC24 IAUS165 -
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-5-4 PG-TDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-TDSON-8-33
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 7V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 80 V 60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11064 pF @ 25 V 670 pF @ 50 V 6370 pF @ 40 V 1112.1 pF @ 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 145µA 2.2V @ 12µA 3.8V @ 108µA 3.4V @ 13µA
FET-Merkmal - - - -

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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