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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
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IAUC41N06S5N102ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUC41N06S5N102ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUC41N06S5N102ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IAUC41N06S5N102ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 125030

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Spezifikation

IAUC41N06S5N102ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUC41N06S5N102ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUC41N06S5N102ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-33  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1112.1 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tj)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUC41N06S5N102ATMA1.

Produkteigenschaften IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Artikelnummer IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 80 V 80 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1112.1 pF @ 30 V 670 pF @ 50 V 6370 pF @ 40 V 16250 pF @ 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 20A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-HSOG-8-1
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA 2.2V @ 12µA 3.8V @ 108µA 3.8V @ 275µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerSMD, Gull Wing
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tj) 24A (Tc) 165A (Tc) 300A (Tc)
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 38W (Tc) 167W (Tc) 375W (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

IAUC41N06S5N102ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IAUC41N06S5N102ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IAUC41N06S5N102ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev DS Rev 1/Apr/2022.pdf

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Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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