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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA50R500CE
IPA50R500CE Image
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IPA50R500CE - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA50R500CE
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA50R500CE
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA50R500CE.pdf
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

IPA50R500CE Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA50R500CE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA50R500CE

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V  
Verlustleistung (max) 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA50R500CE.

Produkteigenschaften IPA50R500CE IPA50R950CE IPA50R380CE IPA60R060C7XKSA1
Artikelnummer IPA50R500CE IPA50R950CE IPA50R380CE IPA60R060C7XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 13V 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Tc) 4.3A (Tc) 9.9A (Tc) 16A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 433 pF @ 100 V 231 pF @ 100 V 584 pF @ 100 V 2850 pF @ 400 V
Grundproduktnummer IPA50R IPA50R IPA50R IPA60R060
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA 3.5V @ 100µA 3.5V @ 260µA 4V @ 800µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-FP
Verlustleistung (max) 28W (Tc) 25.7W (Tc) 29.2W (Tc) 34W (Tc)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V 380mOhm @ 3.2A, 13V 60mOhm @ 15.9A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IPA50R500CE Datenblatt PDF

Laden Sie IPA50R500CE PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA50R500CE - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Assembly/Test Site 18/Jun/2014.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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