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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA50R800CE
IPA50R800CE Image
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IPA50R800CE - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA50R800CE
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA50R800CE
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA50R800CE.pdf
vorrätig: 4770

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Anzahl

Spezifikation

IPA50R800CE Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA50R800CE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA50R800CE

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V  
Verlustleistung (max) 26.4W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA50R800CE.

Produkteigenschaften IPA50R800CE IPA50R380CE IPA60R060P7XKSA1 IPA50R500CE
Artikelnummer IPA50R800CE IPA50R380CE IPA60R060P7XKSA1 IPA50R500CE
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 10V 13V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA 3.5V @ 260µA 4V @ 800µA 3.5V @ 200µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 26.4W (Tc) 29.2W (Tc) 29W (Tc) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1.5A, 13V 380mOhm @ 3.2A, 13V 60mOhm @ 15.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-3-31
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V 584 pF @ 100 V 2895 pF @ 400 V 433 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPA50R IPA50R IPA60R060 IPA50R
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 600 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 9.9A (Tc) 48A (Tc) 7.6A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPA50R800CE Datenblatt PDF

Laden Sie IPA50R800CE PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA50R800CE - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Assembly/Test Site 18/Jun/2014.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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