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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA50R950CE
IPA50R950CE Image
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IPA50R950CE - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA50R950CE
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA50R950CE
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA50R950CE.pdf
vorrätig: 5260

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Anzahl

Spezifikation

IPA50R950CE Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA50R950CE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA50R950CE

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V  
Verlustleistung (max) 25.7W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA50R950CE.

Produkteigenschaften IPA50R950CE IPA50R800CE IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7
Artikelnummer IPA50R950CE IPA50R800CE IPA60R080P7XKSA1 IPA60R080P7
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 5A (Tc) 37A (Tc) -
Verlustleistung (max) 25.7W (Tc) 26.4W (Tc) 29W (Tc) -
Grundproduktnummer IPA50R IPA50R IPA60R080 -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 12.4 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7 *
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA 3.5V @ 130µA 4V @ 590µA -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-FP -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V 280 pF @ 100 V 2180 pF @ 400 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 600 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 80mOhm @ 11.8A, 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -

IPA50R950CE Datenblatt PDF

Laden Sie IPA50R950CE PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA50R950CE - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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