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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD50R520CPATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50R520CPATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50R520CPATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
LOW POWER_LEGACY
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50R520CPATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4040

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Anzahl

Spezifikation

IPD50R520CPATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50R520CPATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50R520CPATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-313  
Serie CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50R520  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50R520CPATMA1.

Produkteigenschaften IPD50R520CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1
Artikelnummer IPD50R520CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 IPD50R500CEAUMA1 IPD50R950CEAUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 13V 13V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 4.3A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 PG-TO252-3-344
Verlustleistung (max) 66W (Tc) 83W (Tc) 57W (Tc) 53W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 100µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 231 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPD50R520 IPD50R IPD50R500 IPD50R950
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IPD50R520CPATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50R520CPATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50R520CPATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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