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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50R520CP
IPD50R520CP Image
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IPD50R520CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50R520CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50R520CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50R520CP.pdf
vorrätig: 4400

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Spezifikation

IPD50R520CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50R520CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50R520CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 66W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50R520CP.

Produkteigenschaften IPD50R520CP IPD50R399CP IPD50R500CE IPD50R950CEAUMA1
Artikelnummer IPD50R520CP IPD50R399CP IPD50R500CE IPD50R950CEAUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 66W (Tc) 83W (Tc) 57W (Tc) 53W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-344
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 3.8A, 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V
FET-Merkmal - - - -
Serie CoolMOS™ CP CoolMOS™ CP CoolMOS CE™ CoolMOS™ CE
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 13V 13V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 231 pF @ 100 V
Grundproduktnummer IPD50R IPD50R IPD50 IPD50R950
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.1A (Tc) 9A (Tc) 7.6A (Tc) 4.3A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 330µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IPD50R520CP Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50R520CP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50R520CP - Infineon Technologies herunter.

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Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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