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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD50R950CEAUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50R950CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50R950CEAUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
CONSUMER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50R950CEAUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95440

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Anzahl

Spezifikation

IPD50R950CEAUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50R950CEAUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50R950CEAUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-344  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V  
Verlustleistung (max) 53W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50R950  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50R950CEAUMA1.

Produkteigenschaften IPD50R950CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R500CE IPD50R520CP
Artikelnummer IPD50R950CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R500CE IPD50R520CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 53W (Tc) 26W (Tc) 57W (Tc) 66W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 1.7A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V 84 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V
Grundproduktnummer IPD50R950 IPD50R3 IPD50 IPD50R
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CE CoolMOS CE™ CoolMOS™ CP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V 13V 13V 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-344 PG-TO252-3 PG-TO252-3-344 PG-TO252-3-11
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V 3Ohm @ 400mA, 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V 4.3 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA 3.5V @ 30µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA

IPD50R950CEAUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50R950CEAUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50R950CEAUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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