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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG15N06S3L-45
Infineon Technologies
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IPG15N06S3L-45 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG15N06S3L-45
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG15N06S3L-45
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG15N06S3L-45.pdf
vorrätig: 4070

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Spezifikation

IPG15N06S3L-45 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG15N06S3L-45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG15N06S3L-45

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V  
Leistung - max 21W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG15N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG15N06S3L-45.

Produkteigenschaften IPG15N06S3L-45 IPG20N04S4-08 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Artikelnummer IPG15N06S3L-45 IPG20N04S4-08 IPG20N04S4L07ATMA1 IPG20N04S409ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Leistung - max 21W 65W (Tc) 65W 54W (Tc)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™T2 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 36nC @ 10V 50nC @ 10V 28nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 17A, 10V 7.2mOhm @ 17A, 10V 8.6mOhm @ 17A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 4V @ 30µA 2.2V @ 30µA 4V @ 22µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A 20A (Tc) 20A 20A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V 2940pF @ 25V 3980pF @ 25V 2250pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 40V 40V 40V
Grundproduktnummer IPG15N IPG20N IPG20N IPG20N

IPG15N06S3L-45 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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