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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG20N06S3L-23
Infineon Technologies
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IPG20N06S3L-23 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG20N06S3L-23
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG20N06S3L-23
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG20N06S3L-23.pdf
vorrätig: 4130

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Spezifikation

IPG20N06S3L-23 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG20N06S3L-23 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG20N06S3L-23

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 16A, 10V  
Leistung - max 45W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG20N06S3L-23.

Produkteigenschaften IPG20N06S3L-23 IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415ATMA2
Artikelnummer IPG20N06S3L-23 IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415ATMA2
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 16A, 10V 35mOhm @ 15A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V 23nC @ 10V 29nC @ 10V 29nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V 790pF @ 25V 2260pF @ 25V 2260pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Grundproduktnummer IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 55V 60V 60V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Leistung - max 45W 65W 50W 50W
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA 2V @ 27µA 4V @ 20µA 4V @ 20µA

IPG20N06S3L-23 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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