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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIPG20N06S415ATMA2
Infineon Technologies
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IPG20N06S415ATMA2 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPG20N06S415ATMA2
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPG20N06S415ATMA2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPG20N06S415ATMA2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54340

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Anzahl

Spezifikation

IPG20N06S415ATMA2 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPG20N06S415ATMA2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Leistung - max 50W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IPG20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2.

Produkteigenschaften IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S3L-23
Artikelnummer IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S3L-35 IPG20N06S3L-23
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Leistung - max 50W 43W 30W 45W
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA 2V @ 14µA 2.2V @ 15µA 2.2V @ 20µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 55V 55V 55V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 12nC @ 10V 23nC @ 10V 42nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 65mOhm @ 15A, 10V 35mOhm @ 11A, 10V 23mOhm @ 16A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 25V 410pF @ 25V 1730pF @ 25V 2950pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A 20A 20A 20A
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-10 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4
Grundproduktnummer IPG20N IPG20N IPG20N IPG20N
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

IPG20N06S415ATMA2 Datenblatt PDF

Laden Sie IPG20N06S415ATMA2 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPG20N06S415ATMA2 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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