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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI50R299CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI50R299CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI50R299CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI50R299CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI50R299CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44280

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Anzahl

Spezifikation

IPI50R299CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI50R299CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI50R299CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI50R299CP.

Produkteigenschaften IPI50R299CP IPI60R190C6XKSA1 IPI60R280C6 IPI60R099CP
Artikelnummer IPI50R299CP IPI60R190C6XKSA1 IPI60R280C6 IPI60R099CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V -
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 151W (Tc) 104W (Tc) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 20.2A (Tc) 13.8A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V 1400 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ C6 *
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA 3.5V @ 630µA 3.5V @ 430µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V -

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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