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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI60R165CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI60R165CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI60R165CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI60R165CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI60R165CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4680

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Anzahl

Spezifikation

IPI60R165CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI60R165CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI60R165CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 790µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 192W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI60R165CP.

Produkteigenschaften IPI60R165CP IPI60R380C6 IPI65R099C6 IPI50R250CP
Artikelnummer IPI60R165CP IPI60R380C6 IPI65R099C6 IPI50R250CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 127 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 790µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 1.2mA 3.5V @ 520µA
Verlustleistung (max) 192W (Tc) 83W (Tc) 278W (Tc) 114W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 2780 pF @ 100 V 1420 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 10.6A (Tc) 38A (Tc) 13A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 99mOhm @ 12.8A, 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1
FET-Merkmal - - - -

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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