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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI60R280C6
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI60R280C6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI60R280C6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI60R280C6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI60R280C6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19536

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Anzahl

Spezifikation

IPI60R280C6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI60R280C6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI60R280C6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie CoolMOS™ C6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.8A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI60R280C6.

Produkteigenschaften IPI60R280C6 IPI50R350CP IPI65R280C6 IPI65R099C6
Artikelnummer IPI60R280C6 IPI50R350CP IPI65R280C6 IPI65R099C6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 127 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.8A (Tc) 10A (Tc) 13.8A (Tc) 38A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 550 V 650 V 650 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Serie CoolMOS™ C6 CoolMOS™ CoolMOS C6™ CoolMOS™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V 1020 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V 2780 pF @ 100 V
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 89W (Tc) 104W (Tc) 278W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA 3.5V @ 370µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V 350mOhm @ 5.6A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 99mOhm @ 12.8A, 10V

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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