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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP200N25N3GXKSA1
IPP200N25N3GXKSA1 Image
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IPP200N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP200N25N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP200N25N3GXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP200N25N3GXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7512

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Anzahl

Spezifikation

IPP200N25N3GXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP200N25N3GXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP200N25N3GXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP200N25N3GXKSA1.

Produkteigenschaften IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP230N06L3G
Artikelnummer IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP220N25NFDAKSA1 IPP230N06L3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™ OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 250 V 60 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 2.2V @ 11µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V 7076 pF @ 125 V 7076 pF @ 125 V 1600 pF @ 30 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 64A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 61A (Tc) 61A (Tc) 30A (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer IPP200 - IPP220 -
FET-Merkmal - - - -

IPP200N25N3GXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP200N25N3GXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP200N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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