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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP220N25NFDAKSA1
IPP220N25NFDAKSA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP220N25NFDAKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP220N25NFDAKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP220N25NFDAKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP220N25NFDAKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8804

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Anzahl

Spezifikation

IPP220N25NFDAKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP220N25NFDAKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP220N25NFDAKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP220  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP220N25NFDAKSA1.

Produkteigenschaften IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD IPP200N25N3GXKSA1 IPP260N06N3G
Artikelnummer IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD IPP200N25N3GXKSA1 IPP260N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 61A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7076 pF @ 125 V 7076 pF @ 125 V 7100 pF @ 100 V 1200 pF @ 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IPP220 - IPP200 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc) 61A (Tc) 64A (Tc) 27A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 250 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™ OptiMOS™3
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)

IPP220N25NFDAKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP220N25NFDAKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP220N25NFDAKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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