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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP230N06L3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP230N06L3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP230N06L3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP230N06L3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP230N06L3G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85200

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Anzahl

Spezifikation

IPP230N06L3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP230N06L3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP230N06L3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP230N06L3G.

Produkteigenschaften IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
Artikelnummer IPP230N06L3G IPP200N25N3GXKSA1 IPP220N25NFD IPP260N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 250 V 250 V 60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 64A (Tc) 61A (Tc) 27A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 36W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V 7100 pF @ 100 V 7076 pF @ 125 V 1200 pF @ 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 22mOhm @ 61A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA 4V @ 270µA 4V @ 270µA 4V @ 11µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™FD OptiMOS™3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Tube Bulk Bulk

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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