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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP65R074C6XKSA1
IPP65R074C6XKSA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP65R074C6XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP65R074C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP65R074C6XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP65R074C6XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5040

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Anzahl

Spezifikation

IPP65R074C6XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP65R074C6XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP65R074C6XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 13.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 480.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP65R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP65R074C6XKSA1.

Produkteigenschaften IPP65R074C6XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 IPP65R065C7 IPP65R099C6XKSA1
Artikelnummer IPP65R074C6XKSA1 IPP60R600P7XKSA1 IPP65R065C7 IPP65R099C6XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA 4V @ 80µA 4V @ 850µA 3.5V @ 1.2mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IPP65R IPP60R600 - IPP65R
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57.7A (Tc) 6A (Tc) 33A (Tc) 38A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 100 V 363 pF @ 400 V 3020 pF @ 400 V 2780 pF @ 100 V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verlustleistung (max) 480.8W (Tc) 30W (Tc) 171W (Tc) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 13.9A, 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 99mOhm @ 12.8A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IPP65R074C6XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP65R074C6XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP65R074C6XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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