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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP65R125C7
Infineon Technologies
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IPP65R125C7 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP65R125C7
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP65R125C7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPP65R125 - 650V AND 700V COOLMO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP65R125C7.pdf
vorrätig: 3820

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Anzahl

Spezifikation

IPP65R125C7 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP65R125C7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP65R125C7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 101W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP65R125C7.

Produkteigenschaften IPP65R125C7 IPP65R190CFD7AAKSA1 IPP65R190C7 IPP65R074C6XKSA1
Artikelnummer IPP65R125C7 IPP65R190CFD7AAKSA1 IPP65R190C7 IPP65R074C6XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 440µA 4.5V @ 320µA 4V @ 290µA 3.5V @ 1.4mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V 190mOhm @ 6.4A, 10V 190mOhm @ 5.7A, 10V 74mOhm @ 13.9A, 10V
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 400 V 1291 pF @ 400 V 1150 pF @ 400 V 3020 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 14A (Tc) 13A (Tc) 57.7A (Tc)
Verlustleistung (max) 101W (Tc) 77W (Tc) 72W (Tc) 480.8W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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