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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP65R099C6XKSA1
IPP65R099C6XKSA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP65R099C6XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP65R099C6XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP65R099C6XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPx65R099C6.pdf
vorrätig: 3960

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Spezifikation

IPP65R099C6XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP65R099C6XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP65R099C6XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 12.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 278W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP65R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP65R099C6XKSA1.

Produkteigenschaften IPP65R099C6XKSA1 IPP65R065C7 IPP65R074C6XKSA1 IPP65R125C7
Artikelnummer IPP65R099C6XKSA1 IPP65R065C7 IPP65R074C6XKSA1 IPP65R125C7
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPP65R - IPP65R -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA 4V @ 850µA 3.5V @ 1.4mA 4V @ 440µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 100 V 3020 pF @ 400 V 3020 pF @ 100 V 1670 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 12.8A, 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 74mOhm @ 13.9A, 10V 125mOhm @ 8.9A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 33A (Tc) 57.7A (Tc) 18A (Tc)
Verlustleistung (max) 278W (Tc) 171W (Tc) 480.8W (Tc) 101W (Tc)

IPP65R099C6XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP65R099C6XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP65R099C6XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 31/Aug/2017.pdf
Datenblätter
IPx65R099C6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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