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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R040CFD7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R040CFD7XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R040CFD7XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7159

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Anzahl

Spezifikation

IPW60R040CFD7XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R040CFD7XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R040CFD7XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 227W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPW60R040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R040CFD7XKSA1.

Produkteigenschaften IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 IPW60R041P6FKSA1
Artikelnummer IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 IPW60R041P6FKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 24.9A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V 41mOhm @ 35.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V 4340 pF @ 400 V 5243 pF @ 400 V 8180 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 255W (Tc) 481W (Tc)
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ C7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 76A (Tc) 77.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPW60R040 IPW60R040 IPW60R037 IPW60R041
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA 4V @ 1.24mA 4V @ 1.48mA 4.5V @ 2.96mA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IPW60R040CFD7XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPW60R040CFD7XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPW60R040CFD7XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/t Chgs 24/Aug/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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