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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R041C6
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R041C6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R041C6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R041C6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
-
Datenblatt
IPW60R041C6.pdf
vorrätig: 4340

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Spezifikation

IPW60R041C6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R041C6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R041C6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
Technologie -  
Supplier Device-Gehäuse -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse -  
Betriebstemperatur -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart -  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
Typ FET -  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R041C6.

Produkteigenschaften IPW60R041C6 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1
Artikelnummer IPW60R041C6 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 600 V 600 V 650 V
Technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - 481W (Tc) 227W (Tc) 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 41mOhm @ 35.5A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 77.5A (Tc) 50A (Tc) 76A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart - Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse - TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse - PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 121 nC @ 10 V
Typ FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 8180 pF @ 100 V 4340 pF @ 400 V 5243 pF @ 400 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id - 4.5V @ 2.96mA 4V @ 1.24mA 4V @ 1.48mA

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IPW60R041C6

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