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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R041C6FKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R041C6FKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R041C6FKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R041C6FKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R041C6FKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3152

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Spezifikation

IPW60R041C6FKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R041C6FKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R041C6FKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 44.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 481W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6530 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IPW60R041  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R041C6FKSA1.

Produkteigenschaften IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R041C6
Artikelnummer IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 IPW60R040C7XKSA1 IPW60R041C6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA 4.5V @ 2.96mA 4V @ 1.24mA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6530 pF @ 10 V 8180 pF @ 100 V 4340 pF @ 400 V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V -
Verlustleistung (max) 481W (Tc) 481W (Tc) 227W (Tc) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77.5A (Tc) 77.5A (Tc) 50A (Tc) -
Paket Tube Tube Tube -
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-1 PG-TO247-3 PG-TO247-3 -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Grundproduktnummer IPW60R041 IPW60R041 IPW60R040 -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ P6 CoolMOS™ C7 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 44.4A, 10V 41mOhm @ 35.5A, 10V 40mOhm @ 24.9A, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V -

IPW60R041C6FKSA1 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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