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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2101STR
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IR2101STR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2101STR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2101STR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IR2101,02 (S) (PbF).pdf
vorrätig: 11470

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Spezifikation

IR2101STR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2101STR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2101STR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2101STR.

Produkteigenschaften IR2101STR IR2101STRPBF IR2101SPBF IR2102S
Artikelnummer IR2101STR IR2101STRPBF IR2101SPBF IR2102S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Grundproduktnummer IR2101 IR2101 IR2101 IR2102
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)

IR2101STR Datenblatt PDF

Laden Sie IR2101STR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2101STR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
HTML -Datenblatt
IR2101,02 (S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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