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IR2101STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2101STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2101STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IR2101,02 (S) (PbF).pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 31539

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Spezifikation

IR2101STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2101STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2101STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2101  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 2 (1 Year)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2101STRPBF.

Produkteigenschaften IR2101STRPBF IR2102 IR2102S IR2101S
Artikelnummer IR2101STRPBF IR2102 IR2102S IR2101S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Inverting Non-Inverting
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer IR2101 IR2102 IR2102 IR2101

IR2101STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2101STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2101STRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
HTML -Datenblatt
IR2101,02 (S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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