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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2102PBF
IR2102PBF Image
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IR2102PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2102PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2102PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
IR2101,02 (S) (PbF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 10700

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Anzahl

Spezifikation

IR2102PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2102PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2102PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2102PBF.

Produkteigenschaften IR2102PBF IR2103PBF IR2103SPBF IR2103S
Artikelnummer IR2102PBF IR2103PBF IR2103SPBF IR2103S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Grundproduktnummer IR2102 IR2103 IR2103 IR2103
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Serie - - - -
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Eingabetyp Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns

IR2102PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2102PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2102PBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
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IR2101,02 (S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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