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IR2112-2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2112-2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2112-2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 11560

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Anzahl

Spezifikation

IR2112-2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2112-2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2112-2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2112  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2112-2PBF.

Produkteigenschaften IR2112-2PBF IR2112-1PBF IR2113-1 IR2112S
Artikelnummer IR2112-2PBF IR2112-1PBF IR2113-1 IR2112S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Supplier Device-Gehäuse 16-PDIP 14-PDIP 14-PDIP 16-SOIC
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side
Grundproduktnummer IR2112 IR2112 IR2113 IR2112
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IR2112-2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2112-2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2112-2PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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