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IR2112SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2112SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2112SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19389

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Anzahl

Spezifikation

IR2112SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2112SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2112SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2112  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2112SPBF.

Produkteigenschaften IR2112SPBF IR2112STRPBF IR2112-1 IR2111STR
Artikelnummer IR2112SPBF IR2112STRPBF IR2112-1 IR2111STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Independent Independent Independent Synchronous
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Serie - - - -
Grundproduktnummer IR2112 IR2112 IR2112 IR2111
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 16-SOIC 14-PDIP 8-SOIC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V

IR2112SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2112SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2112SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IR2112(-1-2)(S)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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