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IR2112STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2112STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2112STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15923

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Anzahl

Spezifikation

IR2112STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2112STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2112STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2112  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2112STRPBF.

Produkteigenschaften IR2112STRPBF IR2113 IR2112-2PBF IR2112SPBF
Artikelnummer IR2112STRPBF IR2113 IR2112-2PBF IR2112SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Grundproduktnummer IR2112 IR2113 IR2112 IR2112
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 14-DIP 16-PDIP 16-SOIC
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300", 7.62mm) 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 2A, 2A 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IR2112STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2112STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2112STRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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