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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3707ZCSPBF
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IRF3707ZCSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3707ZCSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3707ZCSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3707ZC(S,L)PbF.pdf
vorrätig: 4840

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Spezifikation

IRF3707ZCSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3707ZCSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3707ZCSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3707ZCSPBF.

Produkteigenschaften IRF3707ZCSPBF IRF3708 IRF3707ZS IRF3707ZCLPBF
Artikelnummer IRF3707ZCSPBF IRF3708 IRF3707ZS IRF3707ZCLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK TO-262
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V 1210 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 25µA
Verlustleistung (max) 57W (Tc) 87W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc) 62A (Tc) 59A (Tc) 59A (Tc)

IRF3707ZCSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3707ZCSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3707ZCSPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Datenblätter
IRF3707ZC(S,L)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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