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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6898MTRPBF
International Rectifier
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IRF6898MTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6898MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6898MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6898MTRPBF.pdf
vorrätig: 4840

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Spezifikation

IRF6898MTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6898MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6898MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5630 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Body)  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta), 214A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6898MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6898MTRPBF IRF6893MTRPBF IRF710 IRF6811STRPBF
Artikelnummer IRF6898MTRPBF IRF6893MTRPBF IRF710 IRF6811STRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 400 V 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX TO-220AB DirectFET™ Isometric SQ
FET-Merkmal Schottky Diode (Body) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Ta), 214A (Tc) 29A (Ta), 168A (Tc) 2A (Tc) 19A (Ta), 74A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® - DirectFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA 2.1V @ 100µA 4V @ 250µA 2.1V @ 35µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 40A, 10V 1.6mOhm @ 29A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 3.7mOhm @ 19A, 10V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX TO-220-3 DirectFET™ Isometric SQ
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 36W (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5630 pF @ 13 V 3480 pF @ 13 V 170 pF @ 25 V 1590 pF @ 13 V

Lieferung

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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