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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF6802SDTR1PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6802SDTR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6802SDTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6802SDTR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SA
Datenblatt
IRF6802SD (TR) PBF.pdf
vorrätig: 4080

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Anzahl

Spezifikation

IRF6802SDTR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6802SDTR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6802SDTR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SA  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V  
Leistung - max 1.7W  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF6802  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6802SDTR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6802SDTR1PBF IRF6802SDTRPBF IRF6785MTRPBF IRF6795MTRPBF
Artikelnummer IRF6802SDTR1PBF IRF6802SDTRPBF IRF6785MTRPBF IRF6795MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA - 2.35V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A 16A (Ta), 57A (Tc) - 32A (Ta), 160A (Tc)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V 1350pF @ 13V - 4280 pF @ 13 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V 4.2mOhm @ 16A, 10V - 1.8mOhm @ 32A, 10V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SA DirectFET™ Isometric SA - DirectFET™ Isometric MX
Leistung - max 1.7W 1.7W (Ta), 21W (Tc) - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) - -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® DirectFET™ * HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRF6802 IRF6802 - -
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ SA DirectFET™ Isometric SA - DIRECTFET™ MX
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V - 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V 13nC @ 4.5V - 53 nC @ 4.5 V

IRF6802SDTR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6802SDTR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6802SDTR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6802SD (TR) PBF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
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Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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