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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF6802SDTRPBF
International Rectifier
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IRF6802SDTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6802SDTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6802SDTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
25V DUAL CONTROL FET IN S- CAN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SA
Datenblatt
IRF6802SDTRPBF.pdf
vorrätig: 35580

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Anzahl

Spezifikation

IRF6802SDTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6802SDTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6802SDTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SA  
Serie DirectFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V  
Leistung - max 1.7W (Ta), 21W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 57A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF6802  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6802SDTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6802SDTRPBF IRF6802SDTR1PBF IRF6898MTRPBF IRF6893MTRPBF
Artikelnummer IRF6802SDTRPBF IRF6802SDTR1PBF IRF6898MTRPBF IRF6893MTRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 25 V 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 57A (Tc) 16A 40A (Ta), 214A (Tc) 29A (Ta), 168A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 13V 1350pF @ 13V 5630 pF @ 13 V 3480 pF @ 13 V
Grundproduktnummer IRF6802 IRF6802 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 16A, 10V 4.2mOhm @ 16A, 10V 1.1mOhm @ 40A, 10V 1.6mOhm @ 29A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SA DIRECTFET™ SA DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX
Leistung - max 1.7W (Ta), 21W (Tc) 1.7W - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 100µA 2.1V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie DirectFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V 13nC @ 4.5V 68 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Schottky Diode (Body) -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SA DirectFET™ Isometric SA DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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