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IRF7102 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7102
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7102
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7102.pdf
vorrätig: 4180

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Anzahl

Spezifikation

IRF7102 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7102 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7102

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7102.

Produkteigenschaften IRF7102 IRF7101PBF IRF7103QTRPBF IRF7101TRPBF
Artikelnummer IRF7102 IRF7101PBF IRF7103QTRPBF IRF7101TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Leistung - max 2W 2W 2.4W 2W
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V 15nC @ 10V 15nC @ 10V 15nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V 320pF @ 15V 255pF @ 25V 320pF @ 15V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A 3.5A 3A 3.5A
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Paket Tube Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 20V 50V 20V

IRF7102 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7102 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7102 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7102.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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